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Gentec-EO PH100-Si-HA-D0 光電二極管探測(cè)器 202681

更新時(shí)間:2025-01-06

瀏覽量:167

產(chǎn)品介紹

Gentec-EO PH100-Si-HA-D0 光電二極管探測(cè)器描述：

數(shù)據(jù)表(中) 數(shù)據(jù)表(EN) PC-Gentec-EO用戶手冊(cè) PH and PE用戶手冊(cè)

Gentec-EO PH100-Si-HA-D0 光電二極管探測(cè)器的激光功率測(cè)量高達(dá) 36 mW。

INTEGRA（USB 或 RS-232）輸出選擇

當(dāng)您選擇 INTEGRA 輸出選項(xiàng)時(shí)，您將獲得集檢測(cè)器和儀表于一體的便捷的一體化測(cè)量?jī)x器產(chǎn)品。將檢測(cè)器插入電腦，安裝我們的免費(fèi)軟件，即可開始測(cè)量。

具成本效益的解決方案

與其他解決方案具有相同的測(cè)量性能

接口功能和特性不打折扣

適用于 OEM 應(yīng)用和現(xiàn)場(chǎng)維修的緊湊型解決方案

多功能儀器可節(jié)省重新校準(zhǔn)的費(fèi)用

皮瓦級(jí)測(cè)量能力

基于光電二極管的檢測(cè)器可快速響應(yīng)可見近紅外波長(zhǎng)。我們的硅吸收器可以測(cè)量低至皮瓦級(jí)的非常低的功率。

較寬的動(dòng)態(tài)范圍

噪音微乎其微

快速響應(yīng)

對(duì)周圍環(huán)境不敏感

主要特性

大光圈

硅傳感器光圈為10 mm直徑

3種型號(hào)

硅 350 - 1080 nm，高達(dá)750 mW

紫外硅 210 - 1080 nm，高達(dá)38 mW

鍺 800 - 1650 nm，高達(dá)500 mW

衰減器選擇

高準(zhǔn)確度

PH100-Si-HA大幅降低校準(zhǔn)不確定因素

準(zhǔn)確校準(zhǔn)

波長(zhǎng)選擇 1 nm一格

智能接口

包含所有的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)

產(chǎn)品規(guī)格

測(cè)量能力
最大平均功率 36 mW
噪聲等效功率 10 pW
光譜范圍 350 - 1080 nm
典型升起時(shí)間 0.2 s
功率校準(zhǔn)不確定性 ±5.0 % (350 - 399 nm)
±2.0 % (400 - 449 nm)
±1.5 % (450 - 809 nm)
±2.0 % (810 - 899 nm)
±4.0 % (900 - 1009 nm)
±7.5 % (1010 - 1080 nm)
峰值靈敏度 0.5 A/W @ 980 nm
最小重復(fù)率 155 kHz
1. 1064 nm。查看其他波長(zhǎng)的最大功率曲線。
2. 980 nm。標(biāo)稱值。實(shí)際值取決于環(huán)境電磁干擾和波長(zhǎng)。
3. 詳細(xì)信息請(qǐng)參閱用戶手冊(cè)。
損壞閾
最大平均功率密度 100 W/cm2
物理特性
孔徑 10 mm
吸收器 Si
尺寸 38.1? x 27.4D mm
重量 0.13 kg
距傳感器表面距離 13.7 mm

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